RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link