RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link