RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link