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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2516
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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