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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2589
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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