RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
49
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2589
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link