Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Puntuación global
star star star star star
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 33
    En 12% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2423 left arrow 2503
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones