RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2503
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link