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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
91
En 68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
4.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
91
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
6.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
4.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1214
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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