RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
66
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
66
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1877
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link