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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3377
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
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