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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3377
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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