RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En -16% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link