RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link