RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2101
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link