RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
24
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2101
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
INTENSO 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link