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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3117
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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