RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3117
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link