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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2200
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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