RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link