RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2831
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link