RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3191
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link