RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
3075
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link