RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
3772
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link