RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3635
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link