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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
26
Velocità di lettura, GB/s
11.7
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3635
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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