RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
27
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3167
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link