RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2831
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link