RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3899
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link