RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3899
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link