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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2765
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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