RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
KingSpec KingSpec 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link