RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1899
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link