RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1899
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link