RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
74
En 61% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
74
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link