RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
59
En 51% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
59
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link