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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno 51% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
59
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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