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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
62
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
39
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
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