RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
62
En -158% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
24
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1218
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link