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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
62
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
43
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2250
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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