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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
62
En -244% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
18
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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