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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
62
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3687
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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