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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
62
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
31
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3115
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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