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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3453
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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