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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
62
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
21
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2718
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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