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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
62
En -158% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
24
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2445
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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