RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
62
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
53
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2476
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link