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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
25.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
26
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
25.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
21.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
4252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
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