RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
62
En -158% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
24
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link