RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
62
En -148% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
25
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2472
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link